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IRLML5103

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 600.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 1000.0mΩ
  • Qg(Typ): 3.4nC
  • Rth(JC): 230 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-13 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRLML5103TRPBF-1

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 600.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 1000.0mΩ
  • Qg(Typ): 3.4nC
  • Rth(JC): 230 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-13 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

MMBF5462

MMBF5462

電氣特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:40 V
Maximum Drain Gate Voltage:-40 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-13 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRF7726

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 26.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 40.0mΩ
  • Qg(Typ): 46.0nC
  • Rth(JC): 70 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-13 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRFHM9391

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 25V
  • RDS(on) Max@10V: 14.6mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 22.5mΩ
  • Qg(Typ): 32.0nC
  • Rth(JC): 3.8K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 33W
  • Id@TC 25C: -38A
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-13 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRFU9024N

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 175mΩ
  • Qg(Typ): 12.7nC
  • Rth(JC): 3.3K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 38W
  • Id@TC 25C: -8A
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-13 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRF9321

IRF9321

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.2m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 11.2mΩ
  • Qg(Typ): 34.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-13 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRF7410PBF-1

IRF7410PBF-1

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -12V
  • Vgs: 8V
  • RDS(on) Max@4.5V: 7.0mΩ
  • Qg(Typ): 91.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-13 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

MMBFJ175LT1G

MMBFJ175LT1G

電氣特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-13 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRF7420

IRF7420

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -12V
  • Vgs: 8V
  • RDS(on) Max@4.5V: 14.0mΩ
  • Qg(Typ): 38.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-13 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRF7424

IRF7424

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 13.5m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 22.0mΩ
  • Qg(Typ): 75.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-13 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRFH9310

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.6m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 7.1mΩ
  • Qg(Typ): 58.0nC
  • Rth(JC): 1.6K/W
  • Id@TC 25C: -40A
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-13 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRLML6401TRPBF-1

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -12V
  • Vgs: 8V
  • RDS(on) Max@4.5V: 50.0mΩ
  • Qg(Typ): 10.0nC
  • Rth(JC): 75 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-13 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRFR5410

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 205.0mΩ
  • Qg(Typ): 38.7nC
  • Rth(JC): 1.9K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 66W
  • Id@TC 25C: 13A
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-13 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRLTS2242

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: -32.0mΩ
  • Qg(Typ): 12.0nC
  • Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-13 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管