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IRLML6302

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 600.0mΩ
  • Qg(Typ): 2.4nC
  • Rth(JC): 230 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-13 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRF7424PBF-1

IRF7424PBF-1

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 13.5mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 22.0mΩ
  • Qg(Typ): 75nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-13 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRF9335

IRF9335

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 59.0m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 110.0mΩ
  • Qg(Typ): 4.7nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-13 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

2N5115JTXV02

電氣特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:30 V
Operating Temperature:-55 to 200 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-13 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRF7420PBF-1

IRF7420PBF-1

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -12V
  • Vgs: 8V
  • RDS(on) Max@4.5V: 14.0mΩ
  • Qg(Typ): 38nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-13 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRF7404

IRF7404

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 40.0mΩ
  • Qg(Typ): 33.3nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-13 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRF9328

IRF9328

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 11.9mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 19.7mΩ
  • Qg(Typ): 18.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-13 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

MMBFJ176

MMBFJ176

電氣特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-13 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRLML9301

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 64.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 103.0mΩ
  • Qg(Typ): 4.8nC
  • Rth(JC): 100 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-13 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRLML6401

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -12V
  • Vgs: 8V
  • RDS(on) Max@4.5V: 50.0mΩ
  • Qg(Typ): 10.0nC
  • Rth(JC): 100 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-13 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRF9Z34N

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 100.0mΩ
  • Qg(Typ): 23.3nC
  • Rth(JC): 2.7K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 56W
  • Id@TC 25C: -17A
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-13 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRF9310PBF-1

IRF9310PBF-1

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.6mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 6.8mΩ
  • Qg(Typ): 110nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-13 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRF7404PBF-1

IRF7404PBF-1

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 40.0mΩ
  • Qg(Typ): 32.7nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-13 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

MMBFJ270_R2_00001

MMBFJ270_R2_00001

電氣特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-13 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRF6218

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 150.0mΩ
  • Qg(Typ): 21.0nC
  • Rth(JC): 0.61K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 250W
  • Id@TC 25C: -27A
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-13 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管