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IRF8252

IRF8252

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.7mΩ
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

PF5102

PF5102

電氣特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:40 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFB4310

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.0mΩ
  • Id: 130A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFB4115

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 11.0mΩ
  • Id: 104A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

CPH5902H-TL-E

電氣特性 Features

  • 場(chǎng)效應(yīng)晶體管
  • NPN Epitaxial Silicon Transistor and N-Channel Silicon Junction Field Effect Transistor
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFS3607

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9.0mΩ
  • Id: 80A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFI4229

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 250V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 46.0mΩ
  • Id: 19A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFR1205

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 27.0mΩ
  • Id: 37A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFR3709Z

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.5mΩ
  • Id: 86A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

ATF-54143-TR2G

ATF-54143-TR2G

電氣特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5 V
Maximum Continuous Drain Current:120 mA
Maximum Gate Source Voltage:1 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 to 1 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF6641

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 59.9mΩ
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF5801PBF-1

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 2.2mΩ
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFP064N

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.0mΩ
  • Id: 98A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFP4110

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.5mΩ
  • Id: 180A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRLR7807Z

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 13.8mΩ
  • Id: 43A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管