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IRF6662

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 22.0mΩ
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRF3704ZCS

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.9mΩ
  • Id: 67A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRF7811AV

IRF7811AV

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRF630NS

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 300.0mΩ
  • Id: 9.5A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

MMBF4393LT1G

MMBF4393LT1G

電氣特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRFZ44NS

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 17.5mΩ
  • Id: 49A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRFP4468

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.6mΩ
  • Id: 290A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRF7805Z

IRF7805Z

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.8mΩ
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRF1405ZS

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.9mΩ
  • Id: 150A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRFH5306

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.1mΩ
  • Id: 45A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRF3710ZL

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 18.0mΩ
  • Id: 59A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRFH5010

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9.0mΩ
  • Id: 100A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRF6620

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.7mΩ
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRFR2307Z

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 16.0mΩ
  • Id: 53A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

2SK3557-6-TB-E

2SK3557-6-TB-E

電氣特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:15 V
Maximum Continuous Drain Current:50 mA
Maximum Gate Source Voltage:-15 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管