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IRF2804S

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.3mΩ
  • Id: 280A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF1405Z

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.9mΩ
  • Id: 150A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFR825

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 500V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1300.0mΩ
  • Id: 6.0A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRLML0040

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 56.0mΩ
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF8308M

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.5mΩ
  • Id: 150A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRLML2402TRPBF-1

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 12V
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFH7085

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.2mΩ
  • Id: 147A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF6713S

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.0mΩ
  • Id: 95A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRL8113

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.0mΩ
  • Id: 105A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFB3077

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.3mΩ
  • Id: 210A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF1310N

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 36.0mΩ
  • Id: 42A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFP4332

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 250V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 33.0mΩ
  • Id: 57A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF6617

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.1mΩ
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFP260N

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 40.0mΩ
  • Id: 49A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

PF5102

PF5102

電氣特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:40 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管