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IRF5806

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@4.5V: 86.0mΩ
  • Qg(Typ): 8.3nC
  • Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 2.0W
  • Id@TC 25C: -4.0A
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRF9317

IRF9317

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.6m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 10.2mΩ
  • Qg(Typ): 31.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

MMBFJ270_R2_00001

MMBFJ270_R2_00001

電氣特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRF7526D1

電氣特性 Features

  • 集成肖特基二極管的P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 200.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 400.0m?
  • Qg(Typ): 7.5nC
  • Rth(JC): 100 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRLML5103

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 600.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 1000.0mΩ
  • Qg(Typ): 3.4nC
  • Rth(JC): 230 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

2N5115JTXV02

電氣特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:30 V
Operating Temperature:-55 to 200 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

PMBFJ176,215

PMBFJ176,215

電氣特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:35 mA
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:30 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRF9Z34NS

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 100.0mΩ
  • Qg(Typ): 23.3nC
  • Rth(JC): 2.2K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 68W
  • Id@TC 25C: 19A
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRLML5103TRPBF-1

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 600.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 1000.0mΩ
  • Qg(Typ): 3.4nC
  • Rth(JC): 230 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRFR5305

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 65.0mΩ
  • Qg(Typ): 42.0nC
  • Rth(JC): 1.4K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 89W
  • Id@TC 25C: -28A
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

MMBFJ177LT1G

MMBFJ177LT1G

電氣特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

PMBFJ175,215

PMBFJ175,215

電氣特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:70 mA
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:30 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRLML6401TRPBF-1

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -12V
  • Vgs: 8V
  • RDS(on) Max@4.5V: 50.0mΩ
  • Qg(Typ): 10.0nC
  • Rth(JC): 75 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRF9530NS

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 200.0mΩ
  • Qg(Typ): 38.7nC
  • Rth(JC): 1.9K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 3.8W
  • Id@TC 25C: -14A
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

MMBFJ270

MMBFJ270

電氣特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管