電氣特性 Features
- 集成肖特基二極管的P溝道功率MOS管
- Vbrdss: -30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 200.0mΩ
- RDS(on) Max@4.5V: 400.0m?
- Qg(Typ): 7.5nC
- Rth(JC): 100 (JA)K/W
相關文章
電氣特性 Features
- P溝道功率MOS管,Vbrdss: -55V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 20.0mΩ,Qg(Typ): 120.0nC,Rth(JC): 0.75K/W,Power Dissipation@TC 25C: 200W,Id@TC 25C: -74A
電氣特性 Features
- P溝道功率MOS管,Vbrdss: -20V,Vgs: 12V,RDS(on) Max@4.5V: 8.2mΩ,Qg(Typ): 87.0nC,Rth(JC): 50 (JA)K/W
電氣特性 Features
- P溝道功率MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 4.6m?,RDS(on) Max@4.5V: 6.8mΩ,Qg(Typ): 58.0nC,Rth(JC): 50 (JA)K/W
電氣特性 Features
- 集成肖特基二極管的P溝道功率MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 62.0m?,RDS(on) Max@4.5V: 98.0mΩ,Qg(Typ): 23.0nC,Rth(JC): 62.5 (JA)K/W