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J176_D26Z

J176_D26Z

電氣特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

MMBF5462

MMBF5462

電氣特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:40 V
Maximum Drain Gate Voltage:-40 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFTS9342

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 40.0m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 66.0mΩ
  • Qg(Typ): 12.0nC
  • Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRLML9303

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 165.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 270.0mΩ
  • Qg(Typ): 2.0nC
  • Rth(JC): 100 (JA)K/W
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF9Z24NS

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 175.0mΩ
  • Qg(Typ): 12.7nC
  • Rth(JC): 3.3K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 45W
  • Id@TC 25C: -12A
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRLML2246

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 135.0mΩ
  • Qg(Typ): 2.9nC
  • Rth(JC): 100 (JA)K/W
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

MMBFJ270

MMBFJ270

電氣特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

MMBF5461

MMBF5461

電氣特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:40 V
Maximum Drain Gate Voltage:-40 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF9520N

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 480.0mΩ
  • Qg(Typ): 18.0nC
  • Rth(JC): 3.1K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 48W
  • Id@TC 25C: -6.8A
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF9317

IRF9317

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.6m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 10.2mΩ
  • Qg(Typ): 31.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

PMBFJ175,215

PMBFJ175,215

電氣特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:70 mA
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:30 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRLMS5703

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 200.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 400.0mΩ
  • Qg(Typ): 7.2nC
  • Rth(JC): 75 (JA)K/W
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFU9120N

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 480mΩ
  • Qg(Typ): 18nC
  • Rth(JC): 3.2K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 39W
  • Id@TC 25C: -4.1A
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF7204

IRF7204

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 100.0mΩ
  • Qg(Typ): 25.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

2N5115JTXV02

電氣特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:30 V
Operating Temperature:-55 to 200 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-17 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管