更新于 2025-12-09電氣特性 Features
- P溝道功率MOS管
- Vbrdss: -55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 110.0mΩ
- Qg(Typ): 21.3nC
- Rth(JC): 2.2K/W
- Power Dissipation@TC 25C: 57W
- Id@TC 25C: -18A
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- P溝道功率MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 600.0mΩ,RDS(on) Max@4.5V: 1000.0mΩ,Qg(Typ): 3.4nC,Rth(JC): 230 (JA)K/W