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IRF1010EZ

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.5mΩ
  • Id: 84A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF6629

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.1mΩ
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFP3077

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.3mΩ
  • Id: 200A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF630N

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 300.0mΩ
  • Id: 9.5A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFSL3004

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.75mΩ
  • Id: 340A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF9389

IRF9389

電氣特性 Features

  • 1N-1P雙溝道MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs(Max): 20V
  • RDS(on)@4.5V N-ch: 40.0mΩ
  • RDS(on)@4.5V P-ch: 103.0mΩ
  • RDS(on)@10V N-ch: 27.0mΩ
  • RDS(on)@10V P-ch: 64.0mΩ
  • Qg Typ N-ch: 6.8nC
  • Qg Typ P-ch: 8.1nC
  • Qgd Typ N-ch: 0.98nC
  • Qgd Typ P-ch: 2.1nC
  • Rth(JA): 62.5℃/W
雙N-雙P溝道MOS管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:雙N-雙P溝道MOS管

IRF6621

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9.1mΩ
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFHM4231

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.4mΩ
  • Id: 72A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFB4115

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 11.0mΩ
  • Id: 104A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRLU3103

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 19mΩ
  • Id: 29A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF8252PBF-1

IRF8252PBF-1

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.7mΩ
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRLR3717

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.2mΩ
  • Id: 120A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRL1004S

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 6.5mΩ
  • Id: 110A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF6785

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 100.0mΩ
  • Id: 19A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF7799L2

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 250V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 38.0mΩ
  • Id: 35A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管