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IRF7425PBF-1

IRF7425PBF-1

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 8.2mΩ
  • Qg(Typ): 87.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-08 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF100B202

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.6mΩ
  • Id: 97A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-08 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFZ44NL

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 17.5mΩ
  • Id: 35A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-08 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF9530NS

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 200.0mΩ
  • Qg(Typ): 38.7nC
  • Rth(JC): 1.9K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 3.8W
  • Id@TC 25C: -14A
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-08 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFS4410Z

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9.0mΩ
  • Id: 97A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-08 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFH8334PBF-1

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9mΩ
  • Id: 44A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-08 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF6617

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.1mΩ
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-08 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF7205

IRF7205

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 70.0m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 130.0mΩ
  • Qg(Typ): 27.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-08 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF5305

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ
  • Qg(Typ): 42.0nC
  • Rth(JC): 1.4K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 110W
  • Id@TC 25C: -31A
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-08 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF9332

IRF9332

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 17.5m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 28.1mΩ
  • Qg(Typ): 14.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-08 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF7809AVPBF-1

IRF7809AVPBF-1

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 12V
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-08 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFR4105

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 45.0mΩ
  • Id: 25A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-08 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRL1004

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 6.5mΩ
  • Id: 130A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-08 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF6616

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.0mΩ
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-08 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRLU3410

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 105mΩ
  • Id: 9.5A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-08 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管