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SI4435DY

SI4435DY

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 20.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 35.0mΩ
  • Qg(Typ): 40.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場效應管 更新于 2025-12-06 Tag標簽:P溝道場效應管

J175_D26Z

J175_D26Z

電氣特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
P溝道場效應管 更新于 2025-12-06 Tag標簽:P溝道場效應管

MMBFJ175

MMBFJ175

電氣特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
P溝道場效應管 更新于 2025-12-06 Tag標簽:P溝道場效應管

J176_D74Z

J176_D74Z

電氣特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:P
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
P溝道場效應管 更新于 2025-12-06 Tag標簽:P溝道場效應管

IRF4905S

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 20.0mΩ
  • Qg(Typ): 120.0nC
  • Rth(JC): 0.75K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 170W
  • Id@TC 25C: -74A
P溝道場效應管 更新于 2025-12-06 Tag標簽:P溝道場效應管

IRF9383M

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.9mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 4.8m?
  • Qg(Typ): 130.0nC
  • Rth(JC): 1.1K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 113W
P溝道場效應管 更新于 2025-12-06 Tag標簽:P溝道場效應管

IRF9335

IRF9335

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 59.0m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 110.0mΩ
  • Qg(Typ): 4.7nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場效應管 更新于 2025-12-06 Tag標簽:P溝道場效應管

IRFR5410

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 205.0mΩ
  • Qg(Typ): 38.7nC
  • Rth(JC): 1.9K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 66W
  • Id@TC 25C: 13A
P溝道場效應管 更新于 2025-12-06 Tag標簽:P溝道場效應管

IRFU5410

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 205mΩ
  • Qg(Typ): 38.7nC
  • Rth(JC): 1.9K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 66W
  • Id@TC 25C: -8.2A
P溝道場效應管 更新于 2025-12-06 Tag標簽:P溝道場效應管

IRF9388

IRF9388

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 25V
  • RDS(on) Max@10V: 11.9mΩ
  • Qg(Typ): 18.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場效應管 更新于 2025-12-06 Tag標簽:P溝道場效應管

IRF7406

IRF7406

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 45.0m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 70.0mΩ
  • Qg(Typ): 39.3nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場效應管 更新于 2025-12-06 Tag標簽:P溝道場效應管

IRF7425

IRF7425

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 8.2mΩ
  • Qg(Typ): 87.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場效應管 更新于 2025-12-06 Tag標簽:P溝道場效應管

IRF9520NS

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 480.0mΩ
  • Qg(Typ): 18.0nC
  • Rth(JC): 3.1K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 3.8W
  • Id@TC 25C: -6.8A
P溝道場效應管 更新于 2025-12-06 Tag標簽:P溝道場效應管

IRF7416Q

IRF7416Q

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 20.0m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 35.0mΩ
  • Qg(Typ): 61.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場效應管 更新于 2025-12-06 Tag標簽:P溝道場效應管

IRF7524D1

電氣特性 Features

  • 集成肖特基二極管的P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 270.0mΩ
  • Qg(Typ): 5.4nC
  • Rth(JC): 100 (JA)K/W
P溝道場效應管 更新于 2025-12-06 Tag標簽:P溝道場效應管