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IRF2804L

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.3mΩ
  • Id: 280A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRL7833

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.8mΩ
  • Id: 150A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

ATF-541M4-TR2

電氣特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5 V
Maximum Continuous Drain Current:120 mA
Maximum Gate Source Voltage:1 V
Maximum Drain Gate Voltage:5 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRFB4310Z

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.0mΩ
  • Id: 127A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRF2907Z

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.5mΩ
  • Id: 170A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRFR3709Z

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.5mΩ
  • Id: 86A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRL540N

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 44.0mΩ
  • Id: 36A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRFH5020

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 55.0mΩ
  • Id: 43A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRFH7914

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.7mΩ
  • Id: 35A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRFP250M

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 75.0mΩ
  • Id: 30A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRF7809AV

IRF7809AV

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 12V
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

MMBFJ201

MMBFJ201

電氣特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:40 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRFP044N

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 20.0mΩ
  • Id: 49A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

ATF-34143-TR2G

ATF-34143-TR2G

電氣特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5.5 V
Maximum Continuous Drain Current:145 mA
Maximum Gate Source Voltage:-5 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 V
Operating Temperature:-65 to 160 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRFSL7534

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.4mΩ
  • Id: 195A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管