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IRF1310N

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 36.0mΩ
  • Id: 42A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF7401PBF-1

IRF7401PBF-1

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 12V
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFP2907Z

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.5mΩ
  • Id: 170A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRLMS1503

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 100.0mΩ
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFS23N15D

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 90.0mΩ
  • Id: 23A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFR3707Z

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9.5mΩ
  • Id: 56A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFS3607

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9.0mΩ
  • Id: 80A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF1010EZ

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.5mΩ
  • Id: 84A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF8327S

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.3mΩ
  • Id: 60A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRLML0030

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 27.0mΩ
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF3805S-7P

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.6mΩ
  • Id: 240A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF6629

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.1mΩ
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFL024N

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 75.0mΩ
  • Id: 4.0A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

2SK715W

2SK715W

電氣特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:15 V
Maximum Continuous Drain Current:50 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-15 V
Operating Temperature:-55 to 125 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFSL3306

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.2mΩ
  • Id: 160A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管