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IRFSL7734

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.5mΩ
  • Id: 183A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-20 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRFL024N

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 75.0mΩ
  • Id: 4.0A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-20 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRF7749L1

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.5mΩ
  • Id: 200A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-20 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRFH3702

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.1mΩ
  • Id: 42A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-20 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRF7807PBF-1

IRF7807PBF-1

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 12V
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-20 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRFHM8235

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.7mΩ
  • Id: 50A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-20 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRLR3715Z

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 11.0mΩ
  • Id: 49A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-20 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRF7105PBF-1

IRF7105PBF-1

電氣特性 Features

  • 1N-1P雙溝道MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs(Max): 20V
  • RDS(on)@4.5V N-ch: 160.0mΩ
  • RDS(on)@4.5V P-ch: 400.0mΩ
  • RDS(on)@10V N-ch: 100.0mΩ
  • RDS(on)@10V P-ch: 250.0mΩ
  • Qg Typ N-ch: 9.4nC
  • Qg Typ P-ch: 10.0nC
  • Qgd Typ N-ch: 3.1nC
  • Qgd Typ P-ch: 2.8nC
  • Rth(JA): 62.5℃/W
雙N-雙P溝道MOS管 更新于 2025-12-20 Tag標(biāo)簽:雙N-雙P溝道MOS管

IRF7402

IRF7402

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 12V
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-20 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRF6218S

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 150.0mΩ
  • Qg(Typ): 21.0nC
  • Rth(JC): 0.61K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 250W
  • Id@TC 25C: -27A
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-20 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRFSL3806

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 15.8mΩ
  • Id: 43A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-20 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRFHE4250D

電氣特性 Features

  • 雙N溝道帶肖特基的MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs(Max): 16V
  • RDS(on) Max@4.5V: 1.0mΩ
  • Rth(JA): 24℃/W
雙N-雙P溝道MOS管 更新于 2025-12-20 Tag標(biāo)簽:雙N-雙P溝道MOS管

IRFSL4410Z

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9.0mΩ
  • Id: 97A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-20 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRL540N

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 44.0mΩ
  • Id: 36A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-20 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRF7424PBF-1

IRF7424PBF-1

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 13.5mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 22.0mΩ
  • Qg(Typ): 75nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-20 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管