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IRL2703

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 40.0mΩ
  • Id: 24A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-20 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRF4104

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.5mΩ
  • Id: 120A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-20 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRLML2502

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 12V
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-20 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRFP7718

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.8mΩ
  • Id: 355A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-20 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRLML6302TRPBF-1

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 600.0mΩ
  • Qg(Typ): 2.4nC
  • Rth(JC): 230 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-20 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRFU7540

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.8mΩ
  • Id: 110A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-20 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRF2804L

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.3mΩ
  • Id: 280A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-20 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRFBA90N20D

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 23.0mΩ
  • Id: 98A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-20 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRFR024N

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 75.0mΩ
  • Id: 16A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-20 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRFH4209D

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.1mΩ
  • Id: 260A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-20 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRLML9303

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 165.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 270.0mΩ
  • Qg(Typ): 2.0nC
  • Rth(JC): 100 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-20 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRF8252

IRF8252

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.7mΩ
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-20 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRFR3709Z

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.5mΩ
  • Id: 86A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-20 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRFB3207Z

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.1mΩ
  • Id: 170A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-20 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRFR9024N

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 175.0mΩ
  • Qg(Typ): 12.7nC
  • Rth(JC): 3.3K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 38W
  • Id@TC 25C: 11A
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-20 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管