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IRF1018ES

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.4mΩ
  • Id: 79A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-20 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRF9Z34N

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 100.0mΩ
  • Qg(Typ): 23.3nC
  • Rth(JC): 2.7K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 56W
  • Id@TC 25C: -17A
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-20 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRLML6402

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 65.0mΩ
  • Qg(Typ): 8.0nC
  • Rth(JC): 100 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-20 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRFR5410

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 205.0mΩ
  • Qg(Typ): 38.7nC
  • Rth(JC): 1.9K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 66W
  • Id@TC 25C: 13A
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-20 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRF100B202

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.6mΩ
  • Id: 97A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-20 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRFS4410Z

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9.0mΩ
  • Id: 97A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-20 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRF1405

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.3mΩ
  • Id: 133A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-20 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRF2903Z

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.4mΩ
  • Id: 260A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-20 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRLMS1503PBF-1

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 100.0mΩ
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-20 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRFP4137

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 300V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 69.0mΩ
  • Id: 38A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-20 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRF2804L

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.3mΩ
  • Id: 280A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-20 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRF6785

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 100.0mΩ
  • Id: 19A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-20 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRF8306M

電氣特性 Features

  • 集成肖特基二極管的N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.5mΩ
  • Id: 140A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-20 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRLR2905Z

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 13.5mΩ
  • Id: 60A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-20 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRFHS9301

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 37.0m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 65.0mΩ
  • Qg(Typ): 6.9nC
  • Rth(JC): 13K/W
  • Id@TC 25C: -13A
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-20 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管