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IRFHM8235

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.7mΩ
  • Id: 50A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRFB38N20D

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 54.0mΩ
  • Id: 44A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRFS4410

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 10.0mΩ
  • Id: 96A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRF7779L2

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 11.0mΩ
  • Id: 67A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRFS3607

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9.0mΩ
  • Id: 80A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRF8721PBF-1

IRF8721PBF-1

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.5mΩ
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRF5305

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ
  • Qg(Typ): 42.0nC
  • Rth(JC): 1.4K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 110W
  • Id@TC 25C: -31A
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRFB23N15D

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 90.0mΩ
  • Id: 23A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRFU2405

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 16mΩ
  • Id: 40A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRLHM630

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 12V
  • Id: 40A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRF530NS

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 90.0mΩ
  • Id: 17A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRLMS5703

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 200.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 400.0mΩ
  • Qg(Typ): 7.2nC
  • Rth(JC): 75 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRF8302M

電氣特性 Features

  • 集成肖特基二極管的N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.8mΩ
  • Id: 190A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRLR8103V

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9.0mΩ
  • Id: 89A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRL2910

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 26.0mΩ
  • Id: 48A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管