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IRF2903ZS

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.4mΩ
  • Id: 260A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF9540NS

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 117.0mΩ
  • Qg(Typ): 64.7nC
  • Rth(JC): 1.1K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 3.8W
  • Id@TC 25C: -23A
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRLMS6702PBF-1

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 200.0mΩ
  • Qg(Typ): 5.8nC
  • Rth(JC): 75 (JA)K/W
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF9Z24NS

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 175.0mΩ
  • Qg(Typ): 12.7nC
  • Rth(JC): 3.3K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 45W
  • Id@TC 25C: -12A
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF5805

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 98.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 165.0mΩ
  • Qg(Typ): 11.0nC
  • Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF6620

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.7mΩ
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF7342PBF-1

IRF7342PBF-1

電氣特性 Features

  • 雙P溝道MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs(Max): 20V
  • RDS(on) Max@4.5V: 170mΩ
  • Rth(JA): 62.5℃/W
雙N-雙P溝道MOS管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:雙N-雙P溝道MOS管

IRF3205S

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.0mΩ
  • Id: 110A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRLH5036

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 4.4mΩ
  • Id: 100A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFS3006

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.5mΩ
  • Id: 270A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFR9024N

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 175.0mΩ
  • Qg(Typ): 12.7nC
  • Rth(JC): 3.3K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 38W
  • Id@TC 25C: 11A
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRLML0060

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 92.0mΩ
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF1010EZ

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.5mΩ
  • Id: 84A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRLH5030

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 9.0mΩ
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFP250N

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 75.0mΩ
  • Id: 30A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-06 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管