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IRFH5301

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.85mΩ
  • Id: 100A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-19 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF3315S

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 82.0mΩ
  • Id: 21A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-19 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF7304PBF-1

IRF7304PBF-1

電氣特性 Features

  • 雙P溝道MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs(Max): 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 90mΩ
  • Rth(JA): 62.5℃/W
雙N-雙P溝道MOS管 更新于 2025-12-19 Tag標(biāo)簽:雙N-雙P溝道MOS管

IRF6795M

電氣特性 Features

  • 集成肖特基二極管的N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.8mΩ
  • Id: 160A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-19 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFR48Z

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 11.0mΩ
  • Id: 62A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-19 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFU3607

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9mΩ
  • Id: 56A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-19 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF5803D2

IRF5803D2

電氣特性 Features

  • 集成肖特基二極管的P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 112.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 190.0mΩ
  • Qg(Typ): 25.0nC
  • Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-19 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF3710L

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 23mΩ
  • Id: 40A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-19 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF1405

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.3mΩ
  • Id: 133A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-19 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFHM8363

電氣特性 Features

  • 雙N溝道MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs(Max): 20V
  • RDS(on) Max@4.5V: 20.4mΩ
  • Rth(JA): 47℃/W
雙N-雙P溝道MOS管 更新于 2025-12-19 Tag標(biāo)簽:雙N-雙P溝道MOS管

IRF7416

IRF7416

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 20.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 35.0mΩ
  • Qg(Typ): 61.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-19 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF7406

IRF7406

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 45.0m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 70.0mΩ
  • Qg(Typ): 39.3nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-19 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRL7833

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.8mΩ
  • Id: 150A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-19 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFH8201

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 0.95mΩ
  • Id: 324A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-19 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF7831

IRF7831

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@10V: 3.6mΩ
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-19 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管