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IRF7342D2

IRF7342D2

電氣特性 Features

  • 集成肖特基二極管的P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 105.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 170.0mΩ
  • Qg(Typ): 26.0nC
  • Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-19 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRLHS6276

電氣特性 Features

  • 雙N溝道MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs(Max): 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 45mΩ
  • Rth(JA): 86℃/W
雙N-雙P溝道MOS管 更新于 2025-12-19 Tag標(biāo)簽:雙N-雙P溝道MOS管

IRF7380

IRF7380

電氣特性 Features

  • 雙N溝道MOS管
  • Vbrdss: 80V
  • Vgs(Max): 20V
  • Rth(JA): 50℃/W
雙N-雙P溝道MOS管 更新于 2025-12-19 Tag標(biāo)簽:雙N-雙P溝道MOS管

IRF7204

IRF7204

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 100.0mΩ
  • Qg(Typ): 25.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-19 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRF9389

IRF9389

電氣特性 Features

  • 1N-1P雙溝道MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs(Max): 20V
  • RDS(on)@4.5V N-ch: 40.0mΩ
  • RDS(on)@4.5V P-ch: 103.0mΩ
  • RDS(on)@10V N-ch: 27.0mΩ
  • RDS(on)@10V P-ch: 64.0mΩ
  • Qg Typ N-ch: 6.8nC
  • Qg Typ P-ch: 8.1nC
  • Qgd Typ N-ch: 0.98nC
  • Qgd Typ P-ch: 2.1nC
  • Rth(JA): 62.5℃/W
雙N-雙P溝道MOS管 更新于 2025-12-19 Tag標(biāo)簽:雙N-雙P溝道MOS管

IRF9321

IRF9321

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.2m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 11.2mΩ
  • Qg(Typ): 34.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-19 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRF1310N

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 36.0mΩ
  • Id: 42A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-19 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRF9Z34N

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 100.0mΩ
  • Qg(Typ): 23.3nC
  • Rth(JC): 2.7K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 56W
  • Id@TC 25C: -17A
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-19 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRFR9024N

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 175.0mΩ
  • Qg(Typ): 12.7nC
  • Rth(JC): 3.3K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 38W
  • Id@TC 25C: 11A
P溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-19 Tag標(biāo)簽:P溝道場效應(yīng)管

IRFS4227

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 26.0mΩ
  • Id: 62A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-19 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRLR7843

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.3mΩ
  • Id: 161A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-19 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRF1018E

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.4mΩ
  • Id: 79A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-19 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRLR2705

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 40.0mΩ
  • Id: 28A
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-19 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRLMS1503

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 100.0mΩ
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-19 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管

IRF8714PBF-1

IRF8714PBF-1

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.7mΩ
N溝道場效應(yīng)管 更新于 2025-12-19 Tag標(biāo)簽:N溝道場效應(yīng)管