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IRFB3307

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.3mΩ
  • Id: 130A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-04 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFS7762

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.7mΩ
  • Id: 85A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-04 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF6724M

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.5mΩ
  • Id: 150A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-04 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF8301M

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.5mΩ
  • Id: 192A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-04 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFR18N15D

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 125.0mΩ
  • Id: 18A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-04 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFR9024N

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 175.0mΩ
  • Qg(Typ): 12.7nC
  • Rth(JC): 3.3K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 38W
  • Id@TC 25C: 11A
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-04 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF7205

IRF7205

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 70.0m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 130.0mΩ
  • Qg(Typ): 27.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-04 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFB7446

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.3mΩ
  • Id: 123A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-04 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF7313PBF-1

IRF7313PBF-1

電氣特性 Features

  • 雙N溝道MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs(Max): 20V
  • RDS(on) Max@4.5V: 46mΩ
  • Rth(JA): 62.5℃/W
雙N-雙P溝道MOS管 更新于 2025-12-04 Tag標(biāo)簽:雙N-雙P溝道MOS管

IRFP4321

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 15.5mΩ
  • Id: 78A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-04 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF7473

IRF7473

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 26.0mΩ
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-04 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFZ46Z

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 13.6mΩ
  • Id: 51A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-04 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF3305

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.0mΩ
  • Id: 140A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-04 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF2805

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.7mΩ
  • Id: 175A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-04 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF6725M

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.2mΩ
  • Id: 170A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-04 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管