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IRFTS9342

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 40.0m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 66.0mΩ
  • Qg(Typ): 12.0nC
  • Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-10 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFHM792

電氣特性 Features

  • 雙N溝道MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs(Max): 20V
  • Rth(JA): 55℃/W
雙N-雙P溝道MOS管 更新于 2025-12-10 Tag標(biāo)簽:雙N-雙P溝道MOS管

IRFP4668

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 9.7mΩ
  • Id: 130A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-10 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFB7434

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.6mΩ
  • Id: 317A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-10 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF7455PBF-1

IRF7455PBF-1

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@10V: 7.5mΩ
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-10 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFU5505

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 110.0mΩ
  • Qg(Typ): 21.3nC
  • Rth(JC): 2.2K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 57W
  • Id@TC 25C: -18A
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-10 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRLML6302TRPBF-1

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 600.0mΩ
  • Qg(Typ): 2.4nC
  • Rth(JC): 230 (JA)K/W
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-10 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFH7914

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.7mΩ
  • Id: 35A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-10 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFP150N

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 36.0mΩ
  • Id: 39A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-10 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRLR7807Z

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 13.8mΩ
  • Id: 43A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-10 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF5305

電氣特性 Features

  • P溝道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ
  • Qg(Typ): 42.0nC
  • Rth(JC): 1.4K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 110W
  • Id@TC 25C: -31A
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-10 Tag標(biāo)簽:P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRLHS6376

電氣特性 Features

  • 雙N溝道MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs(Max): 12V
  • Rth(JA): 86℃/W
雙N-雙P溝道MOS管 更新于 2025-12-10 Tag標(biāo)簽:雙N-雙P溝道MOS管

IRLR2703

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 45.0mΩ
  • Id: 22A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-10 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRF8304M

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.2mΩ
  • Id: 170A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-10 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

IRFS7787

電氣特性 Features

  • N溝道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.4mΩ
  • Id: 76A
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 更新于 2025-12-10 Tag標(biāo)簽:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管